最新報(bào)告《2018 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場(chǎng)報(bào)告 - 3Q18 Micro LED轉(zhuǎn)移，驅(qū)動(dòng)，背板與應(yīng)用要求》，探討了各種顯示器規(guī)格與巨量轉(zhuǎn)移、驅(qū)動(dòng)及背板等技術(shù)的相對(duì)應(yīng)關(guān)系。由于顯示器的產(chǎn)品特性與規(guī)格不盡相同，無(wú)論是巨量轉(zhuǎn)移、趨動(dòng)、背板都需要針對(duì)不同顯示產(chǎn)品的應(yīng)用特性去對(duì)應(yīng)。因此針對(duì)不同領(lǐng)域的顯示產(chǎn)品，或許將由不同的技術(shù)廠商來(lái)主導(dǎo)未來(lái)發(fā)展方向。

　　Micro LED巨量轉(zhuǎn)移發(fā)展趨勢(shì)

　　由于目前各種巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)百花齊放，并且均有不同技術(shù)特性，因此針對(duì)不同的顯示產(chǎn)品可能都會(huì)有相對(duì)適合的解決方案。現(xiàn)階段大致上可以分類(lèi)為幾項(xiàng)，包括Stamp Pick & Place;Laser Release; Roll to Plate; Fluidic Transfer，wafer bonding。這些轉(zhuǎn)移技術(shù)對(duì)應(yīng)到面板的各種規(guī)格要求均不相同。例如，面板的尺寸大小關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)是否適合擴(kuò)張。PPI的高低，關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移的精密程度。此外，Resolution(分辨率)，關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的生產(chǎn)效率。芯片大小，關(guān)乎到轉(zhuǎn)移技術(shù)對(duì)于轉(zhuǎn)移目標(biāo)的尺寸極限。因此未來(lái)針對(duì)不同的顯示器產(chǎn)品，可能將會(huì)有相對(duì)適合的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)來(lái)做對(duì)應(yīng)。

　　Micro LED的背板應(yīng)用趨勢(shì)

　　線寬線距極限由大至小依序?yàn)镻CB > FPC > Glass > Si CMOS，因此隨著背板線寬線距極限的不同，而用以搭配顯示器大小而隨之不同。如大尺寸顯示器顯示屏(Digital Display)以及電視，因顯示面積大以至于畫(huà)素間距也較大，在背板的選用上會(huì)有PCB與Glass的選擇。而在中型尺寸的車(chē)用顯示器則不使用線寬線距較大的PCB，而以線寬線距極限略小于PCB 的Glass以及FPC為主。小尺寸的手機(jī)與手表以適合中小型顯示需求的玻璃與FPC的背板為主。在微投影與顯示的擴(kuò)增實(shí)境/虛擬實(shí)境的背板顯示需求將會(huì)微縮至30μm等級(jí)以下，因此將會(huì)以可微縮線寬線距半導(dǎo)體制程的 Si CMOS 背板為主，并背搭配眼鏡需透光的需求也會(huì)有光學(xué)式FPC的應(yīng)用需求。

　　Micro LED的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用趨勢(shì)

　　由于顯示技術(shù)不斷的提升， Micro LED驅(qū)動(dòng)IC具備的特性也有所不同，使用Micro LED驅(qū)動(dòng)IC的顯示屏在高刷新頻率時(shí)灰階表現(xiàn)可達(dá)真16-bit，若搭配使用具有HDR亮度提升技術(shù)的Lighthouse控制器，明顯可以看出16-bit畫(huà)面的明暗漸層變化較平順，亮處更亮，暗處則更深邃的效果。

　　Micro LED顯示器因光源顆數(shù)甚多，若能使用整合多通道設(shè)計(jì)的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)IC，將能有效節(jié)省PCB布線空間及使用驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量。

　　Micro LED在啟動(dòng)時(shí)，其電源驅(qū)動(dòng)僅需要10nA 即可驅(qū)動(dòng)，但此低電流下，尚有不穩(wěn)定的低灰階狀態(tài)表現(xiàn)，將會(huì)造成Micro LED接受同電流時(shí)而產(chǎn)生部份點(diǎn)不亮及微亮狀況發(fā)生，無(wú)法達(dá)到設(shè)計(jì)之目標(biāo)，這是Micro LED的驅(qū)動(dòng)IC必須克服的重要方向之一。